4インチ(100mm)ウェハ

マイクロエレクトロニクスの製品ラインには、片面研磨(SSP)と両面研磨(DSP)の両方のウェハ基板が含まれています。 ●4 "Pタイプ、研磨シリコンウェハ(25個)●方向:100●抵抗率:0.1 - 40Ω•cm(バッチごとに異なる場合があります)●厚さ:525 +/- 20um●プライム/モニター/テストグレード
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制品の詳細

【製品導入】

4インチ(100mm)研磨ウェハDSC01065 730


4インチ(100mm)研磨ウェーハDSC01070 730


材料特性

パラメータ

特性

ASTM制御方法

タイプ/ドーパント

P、ホウ素N、リンN、アンチモンN、ヒ素

F42

オリエンテーション

<100>、<111>は顧客の仕様に従って方向を切り落とします

F26

酸素含有量

10 18 ppmA顧客仕様ごとのカスタム許容誤差

F121

炭素含有量

<0.5>

F123

比抵抗範囲 - P、ホウ素 - N、リン - N、アンチモン - N、ヒ素

0.001〜50オーム・cm
0.1〜40Ω・cm
0.005 - 0.025オーム・cm
<>

F84

 

機械的性質

パラメータ

プライム

モニター/テストA

テスト

ASTM法

直径

100±0.2 mm

100±0.2 mm

100±0.5 mm

F613

厚さ

525±20 µm(標準)

525±25μm(標準)381±25μm625±25μm700±25μm800±25μm1000±25μm1500±25μm

525±50 µm(標準)

F533

TTV

<5>

<10>

<15>

F657

<30>

<30>

<40>

F657

ラップ

<30>

<30>

<40>

F657

エッジ丸め

SEMI-STD

F928

マーキング

SEMI-STDフラット、一次SEMI-フラットのみ

F26、F671

  

表面品質

パラメータ

プライム

モニター/テストA

テスト

ASTM法

前面基準

表面状態

ケミカルメカニカルポリッシュ

ケミカルメカニカルポリッシュ

ケミカルメカニカルポリッシュ

F523

表面粗さ

<2>

<2>

<2>


汚染、パーティクル@> 0.3 µm

= 20

= 20

= 30

F523

ヘイズ、ピット、オレンジピール

無し

無し

無し

F523

のこぎり、条線

無し

無し

無し

F523

裏面基準

ひび、しわ、しみ、しみ

無し

無し

無し

F523

表面状態

苛性エッチング

F523

  

商品説明

マイクロエレクトロニクスの製品ラインには、片面研磨(SSP)と両面研磨(DSP)の両方のウェハ基板が含まれています。 両面研磨ウェーハは、通常、半導体、MEMS、および厳密に制御された平坦度特性を有するウェーハが必要とされる他の用途において必要とされる。

 

私達はまた長方形および正方形のウェーハ部分を提供します。 シリコンウェハのための基本的に実現可能なエッジ長の範囲は、5×5mm 2…100×120mm 2などである。コスト/ウェハ片は、必要とされるウェハ片の数と同様に材料にも依存する。

 

あなたの要求に従ってカスタマイズされたダイシングそして磨くこともまた利用できる。 お気軽にお問い合わせ下さい。

 

商品の特徴

         4 "P / Nタイプ、研磨シリコンウェハ(25個)

         オリエンテーション:100

         比抵抗:0.1〜40Ω・cm(バッチごとに異なります)

         厚さ:525 +/- 20um

         プライム/モニター/テストグレード


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