Pタイプ161.7mm単結晶ソーラーウエハー

Pタイプ161.7mm単結晶ソーラーウエハー

M4P型単結晶ウエハは161.7mm×161.7mmである。
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制品の詳細

M4P型単結晶ウエハは161.7mm×161.7mmである。


M4 161.7 solar waferM4 161x161


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2




1      材料特性

 

プロパティ

仕様

検査方法

成長法

Cz


結晶

 

優等エッチング技術(ASTM F47-88)

導電タイプ

Pタイプ

ナップソン EC-80TPN

P/N

ドーパント

 

ホウ素, ガリウム

 

-

酸素濃度[大井]

8回E+17 アット/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

炭素濃度[Cs]

5E +16 アット/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

エッチングピット密度(転位密度)

500 cm-3

優等エッチング技術(ASTM F47-88)

表面の向き

<100>±3°

X線回折法(ASTM F26-1987)

擬似四角辺の向き

<010>,<001>±3°

X線回折法(ASTM F26-1987)

 

2      電気特性

 

プロパティ

仕様

検査方法

比 抵抗

0.5-1.5 Ωcm

ウエハ検査システム

MCLT (マイノリティキャリアの寿命)

50 μs

シントン BCT-400

(射出レベル付き: 1E15 Cm-3)

 

3      ジオメトリ

 


プロパティ

仕様

検査方法

ジオメトリ

準広場


ウェーハ側の長さ

161.7±0.25 mm

ウエハー検査システム

ウェーハ径

φ221±0.25mm

ウエハー検査システム

隣接する辺の間の角度

90° ± 0.2°

ウエハー検査システム

厚さ

180+20/-10 μm;

170+20/-10 μm

ウエハー検査システム

TTV(総厚さ変動)

27 μm

ウエハー検査システム



 image

 

 

4      サーフェスプロパティ

 

プロパティ

仕様

検査方法

切削方法

Dw

--

表面品質

カットおよびクリーニング、目に見える汚染(油やグリース、フィンガープリント、石鹸の汚れ、スラリー汚れ、エポキシ/接着剤の汚れは許可されていません)

ウエハー検査システム

ソーマーク/ステップ

≤ 15μm

ウエハー検査システム

≤ 40 μm

ウエハー検査システム

ワープ

≤ 40 μm

ウエハー検査システム

チップ

深さ ≤0.3mm と長さ ≤ 0.5mm 最大 2/pcs;  Vチップなし

裸眼またはウエハー検査システム

マイクロクラック/穴

許可されていません

ウエハー検査システム




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