Pタイプ182mm単結晶ソーラーウエハー

Pタイプ182mm単結晶ソーラーウエハー

直径247mmの182mmx182mm M12単結晶シリコンソーラーウエハーは、より高い電力太陽電池を作ることができます。
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制品の詳細


158.75mm Full Square Monocrystalline Solar Wafer 2


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


直径295mmの210mmx210mm M12単結晶シリコンソーラーウエハーは、M2ウエハよりも80.5%大きい。


1      材料特性

 

財産

仕様

検査方法

成長法

CZ


結晶

単結晶性

 

優等エッチング技術ASTM F47-88

導電タイプ

Pタイプ

ナップソン EC-80TPN

P/N

ドーパント

 

ホウ素, ガリウム

 

-

酸素濃度[大井]

≦8E+17 アット/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

炭素濃度[Cs]

5E +16 アット/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

エッチングピット密度(転位密度)

500 cm-3

優等エッチング技術ASTM F47-88

表面の向き

<100>±3°

X線回折法(ASTM F26-1987)

擬似四角辺の向き

<010>,<001>±3°

X線回折法(ASTM F26-1987)

 

2      電気特性

 

財産

仕様

検査方法

比 抵抗

0.5-1.5 Ωcm

ウエハ検査システム

MCLT (マイノリティキャリアの寿命)

50 μs

シントン BCT-400

(射出レベル付き: 1E15 センチメートル-3)

 

3      幾何学

 

財産

仕様

検査方法

幾何学

フルスクエア


ウェーハ側の長さ

182±0.25ミリメートル

ウエハー検査システム

ウェーハ径

φ247±0.25mm

ウエハー検査システム

隣接する辺の間の角度

90°± 0.2°

ウエハー検査システム

厚さ

18020/10 μm;

17020/10 μm

ウエハー検査システム

TTV(総厚さ変動)

27 μm

ウエハー検査システム


 image

 

 

4      サーフェスプロパティ

 

財産

仕様

検査方法

切削方法

DW

--

表面品質

カットおよびクリーニング、目に見える汚染(油やグリース、フィンガープリント、石鹸の汚れ、スラリー汚れ、エポキシ/接着剤の汚れは許可されていません)

ウエハー検査システム

ソーマーク/ステップ

≤ 15μm

ウエハー検査システム

≤ 40 μm

ウエハー検査システム

縦糸

≤ 40 μm

ウエハー検査システム

欠く

深さ≤0.3mmおよび長さは0.5mm最大2/pcs≤。  Vチップなし

裸眼またはウエハー検査システム

マイクロクラック/穴

禁じられた

ウエハー検査システム




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