P型フルスクエア単結晶ソーラーウエハー

P型フルスクエア単結晶ソーラーウエハー

方法の1つは、単結晶ウェーハの幅を125mmから156mmに増やし、158.75mmの疑似正方形単結晶ウェーハや完全な正方形の単結晶ウェーハ(ウェーハ直径223mm)などのモジュールのサイズを増やすという方法です。 158.75mmの完全な正方形の単結晶ウェーハ(ウェーハ直径223mm)は、M2フォーマットと比較してウェーハ領域を約3.1%増加させ、60セルモジュールの出力を約10Wp増加させます。
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制品の詳細


158.75mm Full Square Monocrystalline Solar Wafer 2


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


1つの方法は、単結晶ウェーハの幅を125mmから156mmに増やし、モジュールのサイズ(158.75mm疑似正方形など)を増やすというルートに従うことです。単結晶ウェーハまたはフルスクエア単結晶ウェーハ(ウェーハ直径223mm)。の158.75mmフルスクエア単結晶ウェーハ(ウェーハ直径223mm)M2フォーマットと比較して、ウエハー領域が約3.1%増加します。これにより、60セルモジュールの電力が約10 Wp増加します。


1 材料特性

物件

仕様

検査方法

成長法

CZ


結晶性

単結晶

優先エッチングテクニックASTM F47-88

導電率タイプ

Pタイプ

ナプソンEC-80TPN

P/N

ドーパント

ホウ素、ガリウム

-

酸素濃度[Oi]

≦8E+17at / cm3

FTIR(ASTM F121-83)

炭素濃度[Cs]

5E+16at / cm3

FTIR(ASTM F123-91)

エッチピット密度(転位密度)

500センチ-3

優先エッチングテクニックASTM F47-88

表面の向き

GG lt; 100>±3°

X線回折法(ASTM F26-1987)

疑似正方形の辺の向き

GG lt; 010>、GG lt; 001>±3°

X線回折法(ASTM F26-1987)

2 電気的特性

物件

仕様

検査方法

比抵抗

0.5〜1.5Ωcm

ウェーハ検査システム

MCLT(少数キャリア寿命)

50 μs

シントンBCT-400

(注入レベルあり:1E15 CM-3)

3ジオメトリ



物件

仕様

検査方法

ジオメトリ

フルスクエア


ウェーハサイド長

158.75±0.25 mm

ウェーハ検査システム

ウェーハ直径

φ223±0.25mm

ウェーハ検査システム

隣接する側面間の角度

90° ± 0.2°

ウェーハ検査システム

厚さ

18020/10 µm;

17020/10 µm

ウェーハ検査システム

TTV(総厚み変動)

27 µm

ウェーハ検査システム



image

4 表面特性

物件

仕様

検査方法

切断方法

DW

--

表面品質

カットおよびクリーニングした状態で、目に見える汚染はありません(オイルまたはグリース、指紋、石鹸の汚れ、スラリーの汚れ、エポキシ/接着剤の汚れは許可されていません)

ウェーハ検査システム

ソーマーク/ステップ

≤ 15µm

ウェーハ検査システム

≤ 40 µm

ウェーハ検査システム

ワープ

≤ 40 µm

ウェーハ検査システム

チップ

深さ≤0.3mmおよび長さ≤0.5mm最大2個/個; Vチップなし

裸眼またはウェーハ検査システム

マイクロクラック/穴

禁止されている

ウェーハ検査システム




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