PタイプM4単結晶ソーラーウェーハ

PタイプM4単結晶ソーラーウェーハ

寸法が161.7mm x 161.7mmのPタイプの単結晶M4ウェーハ。
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制品の詳細

寸法が161.7mm x 161.7mmのPタイプの単結晶M4ウェーハ。


M4 161x161


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2




1 材料特性

物件

仕様

検査方法

成長法

CZ


結晶化度

単結晶

優先エッチングテクニックASTM F47-88

導電率タイプ

Pタイプ

ナプソンEC-80TPN

P/N

ドーパント

ホウ素、ガリウム

-

酸素濃度[Oi]

≦8E+17at / cm3

FTIR(ASTM F121-83)

炭素濃度[Cs]

5E+16at / cm3

FTIR(ASTM F123-91)

エッチピット密度(転位密度)

500センチ-3

優先エッチングテクニックASTM F47-88

表面配向

GG lt; 100 GGgt;±3°

X線回折法(ASTM F26-1987)

疑似正方形の側面の向き

GG lt; 010>、GG lt; 001>±3°

X線回折法(ASTM F26-1987)

2 電気的特性

物件

仕様

検査方法

抵抗率

0.5〜1.5Ωcm

ウェーハ検査システム

MCLT(マイノリティキャリアライフタイム)

50 μs

シントンBCT-400

(注入レベル:1E15 CM-3)

3ジオメトリ



物件

仕様

検査方法

ジオメトリ

準正方形


ウェーハ辺の長さ

161.7±0.25 mm

ウェーハ検査システム

ウェーハ直径

φ221±0.25mm

ウェーハ検査システム

隣接する側面間の角度

90° ± 0.2°

ウェーハ検査システム

厚さ

18020/10 µm;

17020/10 µm

ウェーハ検査システム

TTV(総厚み変動)

27 µm

ウェーハ検査システム



image

4 表面特性

物件

仕様

検査方法

切断方法

DW

--

表面品質

カットおよびクリーニングした状態で、目に見える汚染はありません(オイルまたはグリース、指紋、石鹸の汚れ、スラリーの汚れ、エポキシ/接着剤の汚れは許可されていません)

ウェーハ検査システム

ソーマーク/ステップ

≤ 15µm

ウェーハ検査システム

≤ 40 µm

ウェーハ検査システム

ワープ

≤ 40 µm

ウェーハ検査システム

チップ

深さ≤0.3mmおよび長さ≤0.5mm最大2個/個; Vチップなし

肉眼またはウェーハ検査システム

マイクロクラック/穴

禁止されている

ウェーハ検査システム




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