【製品説明】
薄膜ＰＶ、特にＣＩＧＳは、太陽光発電の将来の技術の１つであるための重要な技術であり、さらなる技術開発のための大きな可能性を秘めている。 CIGS薄膜モジュールは太陽電池産業にますます多くの投資をしています。
技術が進歩するにつれて、インジウム（Ｉｎ）の代わりにガリウム（Ｇａ）を用いることによって、バンドギャップが銅インジウムジセレニド（ＣＩＳ）フィルムの約１．０４電子ボルト（ｅＶ）から銅ガリウムジセレニドの約１．６８ｅＶに増加できることが後に分かった。 （CGS）フィルム Ｉｎの代わりにＧａを部分的に代用するだけで最適なデバイスが製造され、全体的な効率の大幅な向上とより最適なバンドギャップがもたらされる。 これらの太陽電池は、一般に、銅インジウムガリウムジセレニド［Ｃｕ（Ｉｎ ｘ Ｇａ １ − ｘ）Ｓｅ ２］またはＣＩＧＳ電池として知られている。
CIGS太陽電池の利点は次のとおりです。
高吸収性：この直接バンドギャップ材料は、太陽スペクトルの大部分を吸収することができ、あらゆる薄膜技術の中で最高の効率を達成することを可能にします。
タンデム設計：調整可能なバンドギャップはタンデムCIGSデバイスの可能性を可能にします。
保護緩衝層：粒界は固有の緩衝層を形成し、表面の再結合を防ぎ、１マイクロメートル未満の粒径を有するフィルムをデバイス製造に使用することを可能にする。
【 プロセスフロー 】
共蒸着の例 | 代替案 |
ガラス：2mmまたは3.2mm ステンレス箔：25um | アルミニウム ポリイミド |
モリブデンスパッタ、0.3〜1μm バリア層：Cr /窒化物 | Naバリア/ Seバリア/酸化物バリア |
CIGS：1stage / 2stage / 3stage Cu、In、GaをSe過圧で共蒸着します。CIGS 1〜2um | CIGS：反応性スパッタリング、インク蒸着/コーティング、 セレン化、共蒸着 |
緩衝層：ケミカルバス 堆積（CBD） CdS、20〜80nm | バッファ層：化学浴析出（ＣＢＤ）／スパッタ。 Ｚｎ（Ｏ、Ｓ）：２０〜８０ｎｍ。 |
ウィンドウレイヤ：スパッタ 抵抗：i-ZnO、0.1-0.12um 導電性：AZO、0.1-0.15um | ウィンドウ層：MoCVD ＺｎＯ：Ｂ。 InZnO; ITO |
グリッド：蒸発 Ni（150-500A）、Ag（500-6000A） アル（2-3um） | グリッド/スクリーン印刷/ワイヤー オーバーレイ/タブと文字列 相互接続 |
【 主な特長 】
光による劣化はありません
最大18％の総面積効率
0.33mmまでの細さの太さ
7.5 gm以下の軽量
多くの特殊用途に最適です。
さまざまな用途に合うように修正することができます。
曲げ可能で柔軟
【 技術資料 】
技術データと設計 | 温度係数とはんだ付け性 | |||
長さ | 312mm + 2 / -4mm | TkUoc（％/ K） | -0.28 | |
幅 | 43.75mm±0.005mm | TkIsc（％/ K） | +0.008 | |
厚さ | 0.33mm±0.1mm | TkPMAX（％/ K） | -0.379 | |
細胞タイプ | 銅インジウムガリウムジセレニド | 最小ピール強度 | > 1.4N / mm | |
STCの電気的パラメータ | |||||||
いいえ | 効率 （％） | Pmpp（W） | Uoc（V） | Isc（A） | Vmpp（V） | インプ（A） | FF（％） |
1 | 18.00％ | 2.45 | 0.681 | 4.7 | 0.561 | 4.37 | 76.59％ |
2 | 17.50％ | 2.38 | 0.676 | 4.7 | 0.552 | 4.31 | 74.88％ |
3 | 17.00％ | 2.32 | 0.673 | 4.7 | 0.545 | 4.25 | 73.23％ |
4 | 16.50％ | 2.25 | 0.670 | 4.7 | 0.538 | 4.17 | 71.24％ |
5 | 16.00％ | 2.18 | 0.664 | 4.7 | 0.531 | 4.11 | 69.93％ |
6 | 15.50％ | 2.12 | 0.661 | 4.7 | 0.526 | 4.04 | 68.40％ |
7 | 15.00％ | 2.06 | 0.658 | 4.7 | 0.521 | 3.97 | 66.88％ |
8 | 14.50％ | 2.01 | 0.655 | 4.7 | 0.516 | 3.90 | 65.37％ |
