CIGS銅インジウムガリウムジセレニド太陽電池

【製品の説明】薄膜太陽電池、特にCIGSは、太陽光発電の将来の技術の一つとなるための重要な技術であり、さらなる技術開発のための大きな可能性を秘めています。 CIGS薄膜モジュールは太陽電池産業にますます多くの投資をしています。 それを進める技術として...
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制品の詳細

【製品説明】

薄膜PV、特にCIGSは、太陽光発電の将来の技術の1つであるための重要な技術であり、さらなる技術開発のための大きな可能性を秘めている。 CIGS薄膜モジュールは太陽電池産業にますます多くの投資をしています。

技術が進歩するにつれて、インジウム(In)の代わりにガリウム(Ga)を用いることによって、バンドギャップが銅インジウムジセレニド(CIS)フィルムの約1.04電子ボルト(eV)から銅ガリウムジセレニドの約1.68eVに増加できることが後に分かった。 (CGS)フィルム Inの代わりにGaを部分的に代用するだけで最適なデバイスが製造され、全体的な効率の大幅な向上とより最適なバンドギャップがもたらされる。 これらの太陽電池は、一般に、銅インジウムガリウムジセレニド[Cu(In x Ga 1 − x)Se 2]またはCIGS電池として知られている。

CIGS太陽電池の利点は次のとおりです。

高吸収性:この直接バンドギャップ材料は、太陽スペクトルの大部分を吸収することができ、あらゆる薄膜技術の中で最高の効率を達成することを可能にします。

タンデム設計:調整可能なバンドギャップはタンデムCIGSデバイスの可能性を可能にします。

保護緩衝層:粒界は固有の緩衝層を形成し、表面の再結合を防ぎ、1マイクロメートル未満の粒径を有するフィルムをデバイス製造に使用することを可能にする。


セル構造


プロセスフロー


共蒸着の例

代替案

ガラス:2mmまたは3.2mm

ステンレス箔:25um

アルミニウム

ポリイミド

モリブデンスパッタ、0.3〜1μm

バリア層:Cr /窒化物

Naバリア/ Seバリア/酸化物バリア

CIGS:1stage / 2stage / 3stage

Cu、In、GaをSe過圧で共蒸着します。CIGS 1〜2um

CIGS:反応性スパッタリング、インク蒸着/コーティング、

セレン化、共蒸着

緩衝層:ケミカルバス

堆積(CBD)

CdS、20〜80nm

バッファ層:化学浴析出(CBD)/スパッタ。

Zn(O、S):20〜80nm。

ウィンドウレイヤ:スパッタ

抵抗:i-ZnO、0.1-0.12um

導電性:AZO、0.1-0.15um

ウィンドウ層:MoCVD

ZnO:B。 InZnO; ITO

グリッド:蒸発

Ni(150-500A)、Ag(500-6000A)

アル(2-3um)

グリッド/スクリーン印刷/ワイヤー

オーバーレイ/タブと文字列

相互接続

 

主な特長

光による劣化はありません

最大18%の総面積効率

0.33mmまでの細さの太さ

7.5 gm以下の軽量

多くの特殊用途に最適です。

さまざまな用途に合うように修正することができます。

曲げ可能で柔軟

 

技術資料

技術データと設計


温度係数とはんだ付け性

長さ

312mm + 2 / -4mm


TkUoc(%/ K)

-0.28

43.75mm±0.005mm


TkIsc(%/ K)

+0.008

厚さ

0.33mm±0.1mm


TkPMAX(%/ K)

-0.379

細胞タイプ

銅インジウムガリウムジセレニド


最小ピール強度

> 1.4N / mm

 

STCの電気的パラメータ

いいえ

効率 (%)

Pmpp(W)

Uoc(V)

Isc(A)

Vmpp(V)

インプ(A)

FF(%)

1

18.00%

2.45

0.681

4.7

0.561

4.37

76.59%

2

17.50%

2.38

0.676

4.7

0.552

4.31

74.88%

3

17.00%

2.32

0.673

4.7

0.545

4.25

73.23%

4

16.50%

2.25

0.670

4.7

0.538

4.17

71.24%

5

16.00%

2.18

0.664

4.7

0.531

4.11

69.93%

6

15.50%

2.12

0.661

4.7

0.526

4.04

68.40%

7

15.00%

2.06

0.658

4.7

0.521

3.97

66.88%

8

14.50%

2.01

0.655

4.7

0.516

3.90

65.37%



CIGSプロセス1


CIGSプロセス2CIGSプロセス3




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